确保空间，易于实现高可靠性的元器件内置结构
常规设备也可实现与Cu柱相同的窄间距封装
保证高散热性与耐电迁移性
关于“无铅”和“无卤”的定义，
无铅：根据EU RoHS规定，铅含有率在1000ppm（0.1wt%）以下为无铅。
无卤：根据IEC（International Electrotechnical Commission）61249-2-21及IPC（the Institute of Printed Circuits）4101B1规格，符合下述标准为无卤。
氯(Cl)含有率：0.09wt%(900ppm)以下，
溴(Br)含有率：0.09wt%(900ppm)以下，
氯及溴含有量总量：0.15wt%(1500ppm)以下。
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